EN ▸ Chinese researchers extend future memory endurance 100-fold in semiconductor advance
Çinli Araştırmacılar Bellek Dayanıklılığını 100 Kat Artırdı
South China Morning Post ·
Çinli araştırmacılar, yeni bir bellek çipinin dayanıklılığını önemli ölçüde artırmayı başardı. Bu gelişme, yüksek performanslı bilgisayarlar ve yapay zeka sistemleri için kritik bir güvenilirlik engelini aşma potansiyeline sahip. Xidian Üniversitesi'nden bilim insanları, wurtzite ferromanyetik malzemeler kullanarak 10 milyardan fazla yazma döngüsü gerçekleştirdi. Bu sonuç, önceki dayanıklılık seviyesinin yaklaşık 100 katı ve gelecekteki bellek teknolojileri için büyük bir adım olarak değerlendiriliyor.
Araştırma, Hong Kong Şehir Üniversitesi ve Fudan Üniversitesi ile işbirliği içinde gerçekleştirildi ve Science dergisinde yayımlandı. Alüminyum skandiyum nitrit (AlScN) gibi wurtzite ferromanyetik malzemeler, hızlı anahtarlama hızları ve düşük enerji tüketimi potansiyeli ile dikkat çekiyor. Ancak, bu malzemelerin mevcut üretim süreçleriyle uyumlu olması, gelecekteki bellek cihazlarına entegrasyonunu kolaylaştırabilir.